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国产刻蚀机猛后退:抵达3nm,拿下国内60%份额,逼退美企

时间:2024-11-07 10:56:03 出处:休闲阅读(143)

原问题 :国产刻蚀机猛后退:抵达3nm ,国产国内拿下国内60%份额 ,刻蚀逼退美企

家喻户晓 ,机猛在当初的后退芯片制作工艺中,光刻机 、抵达刻蚀机是拿下必不可少的两个紧张工具 。

假如从所有的份额半导体配置装备部署的成原本看,光刻配置装备部署占其中的逼退20%,而蚀刻配置装备部署占其中的美企23%,两者占其中的国产国内43%的比例,足以证实光刻--蚀刻有多紧张了 。刻蚀

光刻与蚀刻也是机猛成套运用的  ,光刻工艺后 ,后退便是抵达蚀刻工艺,缺一不可,拿下不可替换 。

而光刻机方面 ,国内的技术很落伍,这个巨匠都清晰的。但刻蚀机方面,国内的技术可不差 ,美全是国内先历水平 。

之以是这么强,这是由于一家公司 ,那便是中微半导体,由尹志尧博士于2004年建树。

在建树中微半导体以前 ,尹志尧博士曾经在英特尔 、泛林  、运用质料等企业均使命过 ,积攒了大批的履历 、技术以及人脉。

凭证媒体的说法 ,尹志尧总体在半导体行业具备86项美国专利以及200多项列国专利,被誉为“硅谷最有造诣的华人之一”。

其后他看到中国半导体技术相对于落伍,于是在2004年的时候   ,他带着钱 ,带着一批精英强人归国(据称第一批是15个) ,停办了中微,誓要冲破外洋的操作  。

在2007年的时候,中微研收回了第一代介质刻蚀机,而且全天下初次接管可单台自力操作的双反映台,功能致使比外洋同类产物还要高30%。

而后中微不断的自动,中微的刻蚀机技术不断的后退,抵达了全天下开始进的水平,当初已经被用于某晶圆厂的3nm芯片破费线中。

而克日 ,中微更是展现,中微在中国电容耦合等离子体(CCP)刻蚀配置装备部署市场的市场份额估量将从去年10月的24%增至60%。在电感耦合等离子体(ICP)工具市场,其份额可能会从简直为零回升到75%。

合计来看 ,中微往年在国内的刻蚀市场份额,可能提升至60%,而以前占有主导位置的美国泛林半导体  、运用质料等,全副被中微打的节节溃退了。

接下来,愿望此外国产半导体配置装备部署,特意是光刻机,也可能像中微的刻蚀机同样 ,抵达全天下先历水平,实现5nm、3nm,那末中国芯片财富 ,就再也不怕美国洽谈了。返回搜狐 ,魔难更多

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